规格：
●支持组件数据表中定义的 DDR4 功能和操作
●288 针无缓冲双列直插式内存模块 (UDIMM)
●数据传输速率：高达 2666 Mbps
●容量：4GB、8GB、16GB
●VDD = 1.20V（标称值）
●VPP = 2.5V（标称值）
●VDDSPD = 2.5V（标称值）
●用于数据、频闪和屏蔽信号的标称和动态片上终端 (ODT)
●低功耗自动自刷新 (LPASR)
●数据总线反转 (DBI)
●片上 VREFDQ 生成和校准
●板载 I2C 串行存在检测 (SPD) EEPROM
●16 个内部组； 4 组，每组 4 个库
●1600 Mb/秒/引脚为 800 MHz fCK，1866 Mb/秒/引脚为 933 MHz fCK，2133 Mb/秒/引脚为 1067 MHz fCK，2400 Mb/秒/引脚为 1200 MHz fCK，2666 Mb/秒/引脚为 1333 MHz fCK
●16 个库（4 个库组）
●可编程 CAS 延迟：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
●可编程附加延迟（CAS 延迟）：0、CL - 2 或 CL - 1 时钟
●可编程 CAS 写入延迟 (CWL) = 9,11 (DDR4-1600)、10,12 (DDR4-1866)、11,14 (DDR4-2133)、12,16 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4-2666)
●突发长度：8、4；tCCD = 4，无无缝读取或写入 [使用 A12 或 MRS 操作]
●平均刷新周期：温度低于 TCASE 85°C 时为 7.8 μs；85°C < TOPER ≤ 95°C 时为 3.9 μs